近日，材料领域Top期刊《Advanced Science》在线刊发题为“Unconventional Room-Temperature Antisymmetric Magnetoresistance in van der Waals Fe3GaTe2/Pt Heterostructures”的研究论文，报道了公司全志勇教授和许小红教授在二维室温磁电阻效应方向取得的最新研究进展。公司为本论文唯一完成单位，博士生朱蕴文为第一作者。

二维铁磁范德华材料Fe3GaTe2（FGT）中磁电阻效应是当前自旋电子学领域的研究前沿，其中，有望应用于多阻态存储器的反对称磁电阻（AsMR）更是受到学术界持续关注。但迄今为止，该体系室温AsMR的微观物理机制仍存在较大争议。本工作通过创新的结构设计和表征测试手段，在两片完全隔离的FGT纳米片异质结构中观测到具有四个电阻态的室温AsMR信号，实验中结合电极互换、器件翻转等磁电输运对比测试，证实范德华FGT/重金属异质结中室温AsMR来源于自旋-动量锁定（spin-momentum locking）诱导的界面自旋极化。该独特结构设计和测试方法有效排除了磁畴壁诱导环流电流和界面钉扎效应作为AsMR来源的可能性，相关物理图像在微米级间距FGT器件体系中得到进一步验证。本研究厘清了二维范德华铁磁材料/重金属异质结室温AsMR的物理机制，同时为研制低功耗室温多态自旋电子存储器件提供了新思路。

全文连接：https://doi.org/10.1002/advs.76053

图1. 二维范德华FGT/Pt异质结构和反对称磁电阻效应